在一些蝕刻情況下，蝕刻會削弱掩模層，并產生形成空腔的傾斜側壁，底切的距離稱為偏差，濕蝕刻劑通常是各向同性的，并且它們在厚膜蝕刻期間導致較大的偏差，它們還需要處理大量有毒廢物，這種蝕刻方法在“后端”處理(BEOL)之前特別有效，在該處理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且對熱或機械類型的應力非常敏感，晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；zui常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。

當反應發生時，材料以類似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因為液體蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對于高分辨率圖案轉移非常重要，通常禁止濕法化學蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層，濕法刻蝕是半導體制造，微機械和微流控設備中的重要過程，需要微尺度的特征來優化性能或創建層流態，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應用。

現在可以對涂覆的晶片進行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應足夠長的時間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機械的工藝都無法加工的高精密產品。