蝕刻是從材料表面去除材料的過程，蝕刻的兩種主要類型是濕蝕刻和干蝕刻（例如，等離子體蝕刻），涉及使用液體化學藥品或蝕刻劑去除基板材料的蝕刻工藝稱為濕蝕刻，通常所指金屬蝕刻加工也被稱為化學蝕刻加工，通過制版，經過曝光（紫外線圖像轉移）到金屬上面，將圖案顯影后，將要蝕刻的保護層去掉，在蝕刻過程中接觸化學藥水，讓兩面的圖案通過化學腐蝕研磨的作用，形成凹凸和鏤空成形的效果，金屬蝕刻加工具有很強的針對性的工藝。

當反應發生時，材料以類似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因為液體蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對于高分辨率圖案轉移非常重要，通常禁止濕法化學蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層，濕法刻蝕是半導體制造，微機械和微流控設備中的重要過程，需要微尺度的特征來優化性能或創建層流態，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應用。

缺點包括許多化學廢物，其中許多是高酸性和多步過程，在蝕刻之前，需要掩蓋襯底的區域以獲得器件所需的詳細功能，在稱為光刻的過程中，將光敏光刻膠旋涂到晶圓上，然后將晶片預烘烤以除去光刻膠中多余的溶劑，然后將具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蝕劑的頂部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蝕劑，當將腐蝕劑（一種腐蝕性化學品）施加到被掩膜的晶圓上時，在所有方向上未被掩膜覆蓋的區域中，蝕刻會以相同的速率發生，從而產生倒圓的邊緣。