蝕刻幾微米的非常薄的層將去除在背面研磨過程中產(chǎn)生的微裂紋，導(dǎo)致晶片具有顯著增加的強(qiáng)度和柔性，對(duì)于各向同性濕法蝕刻，氫氟酸、硝酸和乙酸(HNA)的混合物是硅zui常見的蝕刻劑溶劑，每種蝕刻劑的濃度決定了蝕刻速率，二氧化硅或氮化硅經(jīng)常被用作對(duì)抗HNA的掩蔽材料，彩色不銹鋼蝕刻板具有較高的耐磨、抗刻劃特性高于普通不銹鋼，常用于酒店、賓館、娛樂場所、gao檔皮牌專賣店、車廂板、廳堂墻板、天花板、招牌、門窗裝飾等。

當(dāng)反應(yīng)發(fā)生時(shí)，材料以類似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學(xué)蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因?yàn)橐后w蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對(duì)于高分辨率圖案轉(zhuǎn)移非常重要，通常禁止?jié)穹ɑ瘜W(xué)蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層，濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造，微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程，需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時(shí)間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。

缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物，其中許多是高酸性和多步過程，在蝕刻之前，需要掩蓋襯底的區(qū)域以獲得器件所需的詳細(xì)功能，在稱為光刻的過程中，將光敏光刻膠旋涂到晶圓上，然后將晶片預(yù)烘烤以除去光刻膠中多余的溶劑，然后將具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蝕劑的頂部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蝕劑，當(dāng)將腐蝕劑（一種腐蝕性化學(xué)品）施加到被掩膜的晶圓上時(shí)，在所有方向上未被掩膜覆蓋的區(qū)域中，蝕刻會(huì)以相同的速率發(fā)生，從而產(chǎn)生倒圓的邊緣。