蝕刻也可以稱為制作空腔，這些空腔應該根據用途具有特定的深度，產生的這種空腔的深度可以通過蝕刻時間和蝕刻速率來控制，執行蝕刻機制的成功之處在于，多層結構的頂層應該被完全去除，而在底層或掩模層中沒有任何種類的損傷，這完全取決于兩種材料的蝕刻速率之比，稱為選擇性，蝕刻加工的優點主要體現在以下幾點：蝕刻加工完的產品無毛刺，生產效率也高，大批量，密集的小孔同樣可以穩定的批量生產；精密度可以越來越高，zui高管控的精度是可以達到+/-0。

在一些蝕刻情況下，蝕刻會削弱掩模層，并產生形成空腔的傾斜側壁，底切的距離稱為偏差，濕蝕刻劑通常是各向同性的，并且它們在厚膜蝕刻期間導致較大的偏差，它們還需要處理大量有毒廢物，這種蝕刻方法在“后端”處理(BEOL)之前特別有效，在該處理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且對熱或機械類型的應力非常敏感，晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；zui常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。

現在可以對涂覆的晶片進行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應足夠長的時間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機械的工藝都無法加工的高精密產品。