在等離子體蝕刻工藝中，也稱為干蝕刻，使用等離子體或蝕刻氣體來去除襯底材料，干蝕刻會(huì)產(chǎn)生氣態(tài)產(chǎn)物，這些產(chǎn)物應(yīng)擴(kuò)散到大量氣體中并通過真空系統(tǒng)排出，干蝕刻有三種類型（例如等離子蝕刻）：化學(xué)反應(yīng)（通過使用反應(yīng)性等離子體或氣體），物理去除（通常通過動(dòng)量傳遞）以及化學(xué)反應(yīng)和物理去除的組合，干蝕刻：利用不易被物理、化學(xué)作用破壞的物質(zhì)光阻來阻擋不欲去除的部分，利用電漿的離子轟擊效應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)去掉想去除的部分，從而將所需要的線路圖形留在玻璃基板上。

當(dāng)反應(yīng)發(fā)生時(shí)，材料以類似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學(xué)蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因?yàn)橐后w蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對于高分辨率圖案轉(zhuǎn)移非常重要，通常禁止?jié)穹ɑ瘜W(xué)蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層，濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造，微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程，需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時(shí)間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。

現(xiàn)在可以對涂覆的晶片進(jìn)行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長的時(shí)間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產(chǎn)品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機(jī)械的工藝都無法加工的高精密產(chǎn)品。