蝕刻是從材料表面去除材料的過程，蝕刻的兩種主要類型是濕蝕刻和干蝕刻（例如，等離子體蝕刻），涉及使用液體化學(xué)藥品或蝕刻劑去除基板材料的蝕刻工藝稱為濕蝕刻，通常所指金屬蝕刻加工也被稱為化學(xué)蝕刻加工，通過制版，經(jīng)過曝光（紫外線圖像轉(zhuǎn)移）到金屬上面，將圖案顯影后，將要蝕刻的保護(hù)層去掉，在蝕刻過程中接觸化學(xué)藥水，讓兩面的圖案通過化學(xué)腐蝕研磨的作用，形成凹凸和鏤空成形的效果，金屬蝕刻加工具有很強(qiáng)的針對(duì)性的工藝。

在一些蝕刻情況下，蝕刻會(huì)削弱掩模層，并產(chǎn)生形成空腔的傾斜側(cè)壁，底切的距離稱為偏差，濕蝕刻劑通常是各向同性的，并且它們?cè)诤衲のg刻期間導(dǎo)致較大的偏差，它們還需要處理大量有毒廢物，這種蝕刻方法在“后端”處理(BEOL)之前特別有效，在該處理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且對(duì)熱或機(jī)械類型的應(yīng)力非常敏感，晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；zui常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。

現(xiàn)在可以對(duì)涂覆的晶片進(jìn)行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長(zhǎng)的時(shí)間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產(chǎn)品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機(jī)械的工藝都無法加工的高精密產(chǎn)品。