在一些蝕刻情況下，蝕刻會削弱掩模層，并產生形成空腔的傾斜側壁，底切的距離稱為偏差，濕蝕刻劑通常是各向同性的，并且它們在厚膜蝕刻期間導致較大的偏差，它們還需要處理大量有毒廢物，這種蝕刻方法在“后端”處理(BEOL)之前特別有效，在該處理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且對熱或機械類型的應力非常敏感，晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；zui常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。

當反應發生時，材料以類似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因為液體蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對于高分辨率圖案轉移非常重要，通常禁止濕法化學蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層，濕法刻蝕是半導體制造，微機械和微流控設備中的重要過程，需要微尺度的特征來優化性能或創建層流態，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應用。

缺點包括許多化學廢物，其中許多是高酸性和多步過程，在蝕刻之前，需要掩蓋襯底的區域以獲得器件所需的詳細功能，在稱為光刻的過程中，將光敏光刻膠旋涂到晶圓上，然后將晶片預烘烤以除去光刻膠中多余的溶劑，然后將具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蝕劑的頂部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蝕劑，當將腐蝕劑（一種腐蝕性化學品）施加到被掩膜的晶圓上時，在所有方向上未被掩膜覆蓋的區域中，蝕刻會以相同的速率發生，從而產生倒圓的邊緣。