同時利用透射電鏡、掃描電鏡以及偏光顯微鏡輔以溶脹平衡實驗對MMT在CIIR基體材料內的分散以及作用機理進行觀察和分析，探討了OMMT作為阻尼劑的阻尼機理，研究了不同的分散情況對CIIR/OMMT復合材料力學性能、阻尼性能的影響，在進行預清洗過程時，蝕刻速率變化不大，說明表面沒有氧化硅掩蔽層或有機殘留物層，透射電鏡調查也證實了這一發(fā)現(xiàn)，通過透射電鏡高分辨元素成像，可以看出納米顆粒的元素組成確實包括Cd元素和S元素。

2切片厚度50～100nm為宜：太薄反差低；太厚反差好，但結構重疊，電子束不能穿透；，3切片應耐電子束的強烈照射，不變形不升華；，4切片能夠適當被染色，保證一定的反差；，5切片均勻，無影響拍照的皺褶、刀痕或染色污染，其中，DigitalMicrograph不僅能夠自動識別Gatan公司電鏡拍攝的dm3、dm4、Tif文件中的標尺、放大倍數(shù)、儀器型號等信息，還能夠對圖片中進行上偽色突出對比度、選區(qū)傅里葉變換、劃線取向灰度分析等。

染色方法有單染，包括鉛鹽單染和鈾鹽單染；雙染色，醋酸鈾染色和檸檬酸鉛染色，雙染色呈現(xiàn)結果更全面，我們一般采用的雙染法進行染色，常用染色劑：醋酸鈾，有微弱的放射性，主要染核酸、核蛋白、細胞核、結締組織，檸檬酸鉛，主要染膜結構、脂類、糖原等，易與CO2反應成沉淀，染色中應采取措施避免，電鏡照片主要解析粒徑分布、單晶/多晶、晶面結構、元素和原子分散，其本質是信號的空間分布，基本機理與比例尺地圖是一致的。