同時(shí)利用透射電鏡、掃描電鏡以及偏光顯微鏡輔以溶脹平衡實(shí)驗(yàn)對MMT在CIIR基體材料內(nèi)的分散以及作用機(jī)理進(jìn)行觀察和分析，探討了OMMT作為阻尼劑的阻尼機(jī)理，研究了不同的分散情況對CIIR/OMMT復(fù)合材料力學(xué)性能、阻尼性能的影響，在進(jìn)行預(yù)清洗過程時(shí)，蝕刻速率變化不大，說明表面沒有氧化硅掩蔽層或有機(jī)殘留物層，透射電鏡調(diào)查也證實(shí)了這一發(fā)現(xiàn)，通過透射電鏡高分辨元素成像，可以看出納米顆粒的元素組成確實(shí)包括Cd元素和S元素。

2切片厚度50～100nm為宜：太薄反差低；太厚反差好，但結(jié)構(gòu)重疊，電子束不能穿透；，3切片應(yīng)耐電子束的強(qiáng)烈照射，不變形不升華；，4切片能夠適當(dāng)被染色，保證一定的反差；，5切片均勻，無影響拍照的皺褶、刀痕或染色污染，其中，DigitalMicrograph不僅能夠自動(dòng)識別Gatan公司電鏡拍攝的dm3、dm4、Tif文件中的標(biāo)尺、放大倍數(shù)、儀器型號等信息，還能夠?qū)D片中進(jìn)行上偽色突出對比度、選區(qū)傅里葉變換、劃線取向灰度分析等。

鋨酸是強(qiáng)氧化劑，固定脂類、膜結(jié)構(gòu)，有電子染色作用，3脫水，用適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑取代組織和細(xì)胞中的游離態(tài)水分，使之能與包埋劑混合，脫水要徹底，更換液體動(dòng)作要迅速，脫水時(shí)間不宜過長，且固定后的樣品要充分漂洗，4滲透、包埋與聚合，4，1滲透，2包埋與聚合，加溫在60℃聚合形成固體基質(zhì)，牢固地支撐整個(gè)細(xì)胞結(jié)構(gòu)或組織，制成適于機(jī)械切割的固體樹脂包埋塊，利于切片，常用玻璃刀、鉆石刀進(jìn)行超薄切片，刀上要裝水槽，并注入槽液。